STP9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP9435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de STP9435 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP9435 datasheet

 ..1. Size:396K  stansontech
 stp9435.pdf pdf_icon

STP9435

STP9435 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.0A DESCRIPTION STP9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as battery pack, note

 8.1. Size:366K  stansontech
 stp9437.pdf pdf_icon

STP9435

STP9437 STP9437 STP9437 STP9437 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.7A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STP9437 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suite

Otros transistores... STP8NK85Z, STP8NM50FP, STP8NM60D, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NS25FP, STP90N6F6, STP9235, AO4468, STP9437, STP9527, STP9547, STP95N04, STP9N60M2, STP9N65M2, STP9NK50ZFP, STP9NK60ZD