STP9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP9435

STP9435 Datasheet (PDF)

..1. Size:396K stansontech
stp9435.pdf

STP9435 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.0A DESCRIPTION STP9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as battery pack, note

8.1. Size:366K stansontech
stp9437.pdf

STP9437STP9437STP9437STP9437P Channel Enhancement Mode MOSFET- 5.7ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTP9437 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor whichis produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices areparticularly suite

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Liste

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