STP9527 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP9527
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de STP9527 MOSFET
STP9527 Datasheet (PDF)
stp9527.pdf

STP9527 P Channel Enhancement Mode MOSFET -10.0A suSCRIPTION STP9527 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, noteook power management a
stp9527.pdf

STP9527www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1 8
std95n4f3 stp95n4f3.pdf

STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD95N4F3 40 V
std95n2lh5 stp95n2lh5 stu95n2lh5.pdf

STD95N2LH5STP95N2LH5, STU95N2LH5N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD95N2LH5 25 V
Otros transistores... STP8NM60D , STP8NM60FP , STP8NM60N , STP8NS25FP , STP90N6F6 , STP9235 , STP9435 , STP9437 , IRFZ44N , STP9547 , STP95N04 , STP9N60M2 , STP9N65M2 , STP9NK50ZFP , STP9NK60ZD , STP9NK60ZFP , STP9NK80Z .
History: PMXB43UNE | FDD16AN08A0NF054 | CSD17312Q5 | AP2305GN-HF | AP2P052N
History: PMXB43UNE | FDD16AN08A0NF054 | CSD17312Q5 | AP2305GN-HF | AP2P052N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet