STP9527 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP9527
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
STP9527 Datasheet (PDF)
stp9527.pdf
STP9527 P Channel Enhancement Mode MOSFET -10.0A suSCRIPTION STP9527 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, noteook power management a
stp9527.pdf
STP9527www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1 8
std95n4f3 stp95n4f3.pdf
STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD95N4F3 40 V
std95n2lh5 stp95n2lh5 stu95n2lh5.pdf
STD95N2LH5STP95N2LH5, STU95N2LH5N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD95N2LH5 25 V
std95n04 std95n04 stp95n04 stp95n04.pdf
STD95N04STP95N04N-channel 40V - 5.4m - 80A - DPAK - TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTD95N04 40V
stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf
STB95N3LLH6, STD95N3LLH6STP95N3LLH6, STU95N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID313STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2DPAK1STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 ASTP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAKSTU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3
stp9547.pdf
STP9547 P Channel Enhancement Mode MOSFET - 6.8A DESCRIPTION The STP9547 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F