STRH100N10 Todos los transistores

 

STRH100N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STRH100N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 679 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254AA
 

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STRH100N10 Datasheet (PDF)

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STRH100N10

STRH100N10Rad-Hard 100 V, 48 A N-channel Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on) Qg100 V 48 A 30 m 135 nC Fast switching 100% avalanche tested32 Hermetic package1TO-254AA 70 krad TID SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityD(1)DescriptionThis N-chan

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STRH100N10

STRH100N6Rad-Hard N-channel, 60 V, 40 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeatures VDSS ID RDS(on) Qg60 V 40 A 12 m 134.4 nC Fast switching 100% avalanche tested32 Hermetic package1 70 krad TIDTO-254AA SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliabilityDescriptionThis N-channel Powe

 9.1. Size:457K  st
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STRH100N10

STRH12P10Rad-Hard 100 V, 12 A P-channel Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVDSS ID RDS(on) Qg100V 12 A 265 m 40 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package321 100 krad TIDTO-257AA SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityD (1)DescriptionThis P-channel

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History: STP80N10F7

 

 
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