STRH40N6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STRH40N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 351 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SMD0.5

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STRH40N6 datasheet

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STRH40N6

STRH40N6 Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFET Datasheet - production data Features VBDSS ID RDS(on) Qg 60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TID SMD.5 SEE radiation hardened Applications Satellite Figure 1. Internal schematic diagram High reliability Description This N-channel Power MOSFET is dev

 8.1. Size:695K  st
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STRH40N6

STRH40P10 Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFET Datasheet - production data Features VBDSS ID RDS(on) Qg 100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested 3 Hermetic package 2 1 100 krad TID TO-254AA SEE radiation hardened Applications Figure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliability D (1) Description This P

Otros transistores... STQ2LN60K3-AP, STQ3NK50ZR-AP, STR1P2UH7, STR2N2VH5, STR2P3LLH6, STRH100N10, STRH100N6, STRH12P10, IRFB4115, STRH40P10, STRH8N10, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6, STS10PF30L, STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5