STRH40N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STRH40N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 351 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD0.5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STRH40N6

STRH40N6 Datasheet (PDF)

..1. Size:706K st
strh40n6.pdf

STRH40N6Rad-Hard N-channel 60 V, 30 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on) Qg60 V 30 A 36 mOhm 43 nC Fast switching 100% avalanche tested Hermetic package 70 krad TIDSMD.5 SEE radiation hardenedApplications SatelliteFigure 1. Internal schematic diagram High reliabilityDescriptionThis N-channel Power MOSFET is dev

8.1. Size:695K st
strh40p10.pdf

STRH40P10Rad-Hard P-channel 100 V, 34 A Power MOSFETDatasheet - production dataFeaturesVBDSS ID RDS(on)Qg100 V 34 A 0.060 Ohm 162 nC Fast switching 100% avalanche tested3 Hermetic package21 100 krad TIDTO-254AA SEE radiation hardenedApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Satellite High reliabilityD (1)DescriptionThis P

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Liste

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