STS15N4LLF3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS15N4LLF3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 574 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de STS15N4LLF3 MOSFET
STS15N4LLF3 Datasheet (PDF)
sts15n4llf3.pdf
STS15N4LLF3N-channel 40V - 0.0042 - 15A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS15N4LLF3 40V
sts15n4llf5.pdf
STS15N4LLF5N-channel 40 V, 0.00625 , 15 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS15N4LLF5 40 V
Otros transistores... STRH12P10 , STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 , STS10P4LLF6 , STS10PF30L , STS12NH3LL , IRF9540 , STS15N4LLF5 , STS17NF3LL , STS17NH3LL , STS1HNK60 , STS25NH3LL , STS2DPFS20V , STS3P6F6 , STS4DNFS30 .
History: VBM2625 | VBM2658 | HFP5N65S
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