STS15N4LLF3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS15N4LLF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS15N4LLF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS15N4LLF3 даташит

 ..1. Size:309K  st
 sts15n4llf3.pdf pdf_icon

STS15N4LLF3

STS15N4LLF3 N-channel 40V - 0.0042 - 15A - SO-8 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS15N4LLF3 40V

 4.1. Size:582K  st
 sts15n4llf5.pdf pdf_icon

STS15N4LLF3

STS15N4LLF5 N-channel 40 V, 0.00625 , 15 A, SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max. ID STS15N4LLF5 40 V

Другие IGBT... STRH12P10, STRH40N6, STRH40P10, STRH8N10, STS10P3LLH6, STS10P4LLF6, STS10PF30L, STS12NH3LL, IRF9540, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL, STS1HNK60, STS25NH3LL, STS2DPFS20V, STS3P6F6, STS4DNFS30