STS15N4LLF3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS15N4LLF3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STS15N4LLF3 Datasheet (PDF)
sts15n4llf3.pdf
STS15N4LLF3N-channel 40V - 0.0042 - 15A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS15N4LLF3 40V
sts15n4llf5.pdf
STS15N4LLF5N-channel 40 V, 0.00625 , 15 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS15N4LLF5 40 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: HY3408AP | HY2N65D | STP90N15F4 | STRH8N10 | FQAF65N06 | FQAF44N10
History: HY3408AP | HY2N65D | STP90N15F4 | STRH8N10 | FQAF65N06 | FQAF44N10
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet