STS15N4LLF5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS15N4LLF5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 257 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de STS15N4LLF5 MOSFET
STS15N4LLF5 Datasheet (PDF)
sts15n4llf5.pdf
STS15N4LLF5N-channel 40 V, 0.00625 , 15 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS15N4LLF5 40 V
sts15n4llf3.pdf
STS15N4LLF3N-channel 40V - 0.0042 - 15A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS15N4LLF3 40V
Otros transistores... STRH40N6 , STRH40P10 , STRH8N10 , STS10P3LLH6 , STS10P4LLF6 , STS10PF30L , STS12NH3LL , STS15N4LLF3 , 2N7000 , STS17NF3LL , STS17NH3LL , STS1HNK60 , STS25NH3LL , STS2DPFS20V , STS3P6F6 , STS4DNFS30 , STS4DPFS30L .
History: PSMN2R0-60ES | AP9938GEM-HF | MDIB6N70CTH | MDF18N50BTH | MDF5N50BTH | MDU1512RH | 2SK3440
History: PSMN2R0-60ES | AP9938GEM-HF | MDIB6N70CTH | MDF18N50BTH | MDF5N50BTH | MDU1512RH | 2SK3440
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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