STS15N4LLF5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: STS15N4LLF5
   Маркировка: 15C4L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 257 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам