STS1HNK60 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STS1HNK60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS1HNK60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: SO-8

Búsqueda de reemplazo de STS1HNK60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:214K st
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STS1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 0.3ASO-8 SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STS1HNK60 600 V

8.1. Size:137K st
sts1hnc60.pdf pdf_icon

STS1HNC60 N-CHANNEL 600V - 7 - 0.4A SO-8 PowerMesh II MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS1HNC60 600 V