STS2DPFS20V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS2DPFS20V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS2DPFS20V datasheet

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STS2DPFS20V

STS2DPFS20V P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID

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STS2DPFS20V

STS2DPF20V DUAL P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID

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STS2DPFS20V

STS2DPF80 DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 - 2.3A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS2DPF80 80 V

 9.1. Size:133K  st
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STS2DPFS20V

STS2DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8 STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER PRELIMINARY DATA MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 30 V

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