STS2DPFS20V Todos los transistores

 

STS2DPFS20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS2DPFS20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

STS2DPFS20V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  st
 sts2dpfs20v.pdf pdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DPFS20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-82.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODEMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID

 7.1. Size:117K  st
 sts2dpf20v.pdf pdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DPF20VDUAL P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2A SO-82.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) ID

 7.2. Size:233K  st
 sts2dpf80.pdf pdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DPF80DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 - 2.3A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS2DPF80 80 V

 9.1. Size:133K  st
 sts2dnfs30l.pdf pdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DNFS30LN-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERPRELIMINARY DATAMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID30 V

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History: IRFD113

 

 
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