STS2DPFS20V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS2DPFS20V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS2DPFS20V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS2DPFS20V даташит

 ..1. Size:216K  st
sts2dpfs20v.pdfpdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DPFS20V P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID

 7.1. Size:117K  st
sts2dpf20v.pdfpdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DPF20V DUAL P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID

 7.2. Size:233K  st
sts2dpf80.pdfpdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DPF80 DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 - 2.3A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS2DPF80 80 V

 9.1. Size:133K  st
sts2dnfs30l.pdfpdf_icon

STS2DPFS20V

STS2DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8 STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER PRELIMINARY DATA MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 30 V

Другие IGBT... STS10PF30L, STS12NH3LL, STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL, STS1HNK60, STS25NH3LL, IRF4905, STS3P6F6, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L