STS2DPFS20V - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STS2DPFS20V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STS2DPFS20V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS2DPFS20V

STS2DPFS20V Datasheet (PDF)

..1. Size:216K st
sts2dpfs20v.pdf

STS2DPFS20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-82.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODEMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID

7.1. Size:117K st
sts2dpf20v.pdf

STS2DPF20VDUAL P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2A SO-82.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) ID

7.2. Size:233K st
sts2dpf80.pdf

STS2DPF80DUAL P-CHANNEL 80V - 0.21 - 2.3A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS2DPF80 80 V

9.1. Size:133K st
sts2dnfs30l.pdf

STS2DNFS30LN-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERPRELIMINARY DATAMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID30 V

9.2. Size:295K st
sts2dnf30l.pdf