STS4DNFS30 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STS4DNFS30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS4DNFS30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SO-8

Búsqueda de reemplazo de STS4DNFS30 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:308K st
sts4dnfs30.pdf pdf_icon

STS4DNFS30 N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8 STripFET Power MOSFET plus schottky rectifier General features Type VDSS RDS(on) ID STS4DNFS30 30V

0.1. Size:292K st
sts4dnfs30l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30L N-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8 STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifier General features MOSFET VDSS RDS(on) ID 30V

7.1. Size:592K st
sts4dnf60l.pdf pdf_icon

STS4DNF60L N-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS4DNF60L 60V

7.2. Size:591K st
sts4dnf30l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L Dual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max. ID STS4DNF30L 30 V