STS4DNFS30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS4DNFS30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS4DNFS30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4DNFS30 даташит

 ..1. Size:308K  st
 sts4dnfs30.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNFS30 N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8 STripFET Power MOSFET plus schottky rectifier General features Type VDSS RDS(on) ID STS4DNFS30 30V

 0.1. Size:292K  st
 sts4dnfs30l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNFS30L N-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8 STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifier General features MOSFET VDSS RDS(on) ID 30V

 7.1. Size:592K  st
 sts4dnf60l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNF60L N-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS4DNF60L 60V

 7.2. Size:591K  st
 sts4dnf30l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNF30L Dual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max. ID STS4DNF30L 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STS15N4LLF3, STS15N4LLF5, STS17NF3LL, STS17NH3LL, STS1HNK60, STS25NH3LL, STS2DPFS20V, STS3P6F6, AO3401, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL