Справочник MOSFET. STS4DNFS30

 

STS4DNFS30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS4DNFS30
   Маркировка: S4DNFS30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4DNFS30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  st
 sts4dnfs30.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNFS30N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8STripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4DNFS30 30V

 0.1. Size:292K  st
 sts4dnfs30l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNFS30LN-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifierGeneral featuresMOSFET VDSS RDS(on) ID30V

 7.1. Size:592K  st
 sts4dnf60l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNF60LN-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60L 60V

 7.2. Size:591K  st
 sts4dnf30l.pdf pdf_icon

STS4DNFS30

STS4DNF30LDual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS4DNF30L 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STS65R580FS2 | HY1607MF | STS4DNFS30L | STP9527 | STQ1NK80ZR-AP | FQB19N10TM | HY3215W

 

 
Back to Top

 


 
.