STS4DNFS30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS4DNFS30
Маркировка: S4DNFS30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.7 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STS4DNFS30
STS4DNFS30 Datasheet (PDF)
sts4dnfs30.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STS4DNFS30N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8STripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4DNFS30 30V
sts4dnfs30l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STS4DNFS30LN-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifierGeneral featuresMOSFET VDSS RDS(on) ID30V
sts4dnf60l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STS4DNF60LN-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60L 60V
sts4dnf30l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STS4DNF30LDual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS4DNF30L 30 V
sts4dnf60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STS4DNF60N-channel 60V - 0.070 - 4A - SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60 60V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .