STS4DPFS30L Todos los transistores

 

STS4DPFS30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS4DPFS30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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STS4DPFS30L Datasheet (PDF)

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STS4DPFS30L

STS4DPFS30LP-CHANNEL 30V - 0.045 - 5A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERTable 1: General Features Figure 1: PackageMOSFET TYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPFS30L 30 V

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STS4DPFS30L

STS4DPFS20LP-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID20 V

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STS4DPFS30L

STS4DPFS2LSP-CHANNEL 20V - 0.06 - 4A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID20 V

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STS4DPFS30L

STS4DPF20LDUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPF20L 20 V

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History: PJU2NA60

 

 
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