STS4DPFS30L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS4DPFS30L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS4DPFS30L datasheet

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STS4DPFS30L

STS4DPFS30L P-CHANNEL 30V - 0.045 - 5A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER Table 1 General Features Figure 1 Package MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPFS30L 30 V

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STS4DPFS30L

STS4DPFS20L P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 20 V

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STS4DPFS30L

STS4DPFS2LS P-CHANNEL 20V - 0.06 - 4A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 20 V

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STS4DPFS30L

STS4DPF20L DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF20L 20 V

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