STS5DP3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS5DP3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS5DP3LLH6 datasheet

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STS5DP3LLH6

STS5DP3LLH6 DUAL P-Channel 30 V, 0.04 typ., 5 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID STS5DP3LLH6 30 V 0.06 at 10 V 5 A RDS(on)* Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses SO-8 Applications Switching

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STS5DP3LLH6

STS5DNF60L Automotive-grade dual N-channel 60 V, 0.035 typ., 5 A STripFET II Power MOSFET in an SO-8 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID STS5DNF60L 60 V 0.045 5 A AEC-Q101 qualified Low threshold drive SO-8 Applications Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This Power MOSFET has been d

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STS5DP3LLH6

STS5DNF20V N-channel 20 V, 0.030 , 5 A SO-8 2.7 V, drive STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max. ID

 9.3. Size:75K  st
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STS5DP3LLH6

STS5DNE30L N - CHANNEL 30V - 0.039 - 5A SO-8 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS5DNE30L 30 V

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