STS5DP3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS5DP3LLH6
Código: 5K3L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
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STS5DP3LLH6 Datasheet (PDF)
sts5dp3llh6.pdf
STS5DP3LLH6DUAL P-Channel 30 V, 0.04 typ., 5 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTS5DP3LLH6 30 V 0.06 at 10 V 5 A RDS(on)* Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesSO-8Applications Switching
sts5dnf60l.pdf
STS5DNF60LAutomotive-grade dual N-channel 60 V, 0.035 typ., 5 ASTripFET II Power MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. IDSTS5DNF60L 60 V 0.045 5 A AEC-Q101 qualified Low threshold driveSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis Power MOSFET has been d
sts5dnf20v.pdf
STS5DNF20VN-channel 20 V, 0.030 , 5 A SO-82.7 V, drive STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID
sts5dne30l.pdf
STS5DNE30LN - CHANNEL 30V - 0.039 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5DNE30L 30 V
sts5dnf60l.pdf
STS5DNF60Lwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Chann
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Liste
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