Справочник MOSFET. STS5DP3LLH6

 

STS5DP3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS5DP3LLH6
   Маркировка: 5K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для STS5DP3LLH6

 

 

STS5DP3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  st
sts5dp3llh6.pdf

STS5DP3LLH6 STS5DP3LLH6

STS5DP3LLH6DUAL P-Channel 30 V, 0.04 typ., 5 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTS5DP3LLH6 30 V 0.06 at 10 V 5 A RDS(on)* Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesSO-8Applications Switching

 9.1. Size:513K  st
sts5dnf60l.pdf

STS5DP3LLH6 STS5DP3LLH6

STS5DNF60LAutomotive-grade dual N-channel 60 V, 0.035 typ., 5 ASTripFET II Power MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. IDSTS5DNF60L 60 V 0.045 5 A AEC-Q101 qualified Low threshold driveSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis Power MOSFET has been d

 9.2. Size:437K  st
sts5dnf20v.pdf

STS5DP3LLH6 STS5DP3LLH6

STS5DNF20VN-channel 20 V, 0.030 , 5 A SO-82.7 V, drive STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID

 9.3. Size:75K  st
sts5dne30l.pdf

STS5DP3LLH6 STS5DP3LLH6

STS5DNE30LN - CHANNEL 30V - 0.039 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5DNE30L 30 V

 9.4. Size:952K  cn vbsemi
sts5dnf60l.pdf

STS5DP3LLH6 STS5DP3LLH6

STS5DNF60Lwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Chann

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: KI4953DY

 

 
Back to Top