STS5P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS5P3LLH6
   Código: 5K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS5P3LLH6

STS5P3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:532K st
sts5p3llh6.pdf

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID5STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness4 Low gate drive power loss1SO-8Applications Switching applicat

9.1. Size:181K st
sts5pf20v.pdf