Справочник MOSFET. STS5P3LLH6

 

STS5P3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS5P3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STS5P3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS5P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  st
 sts5p3llh6.pdf pdf_icon

STS5P3LLH6

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID5STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness4 Low gate drive power loss1SO-8Applications Switching applicat

 9.1. Size:181K  st
 sts5pf20v.pdf pdf_icon

STS5P3LLH6

STS5PF20VP-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-82.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID

 9.2. Size:302K  st
 sts5pf30l.pdf pdf_icon

STS5P3LLH6

STS5PF30LP-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5PF30L 30V

Другие MOSFET... STS17NH3LL , STS1HNK60 , STS25NH3LL , STS2DPFS20V , STS3P6F6 , STS4DNFS30 , STS4DPFS30L , STS5DP3LLH6 , 2SK3568 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , STS8C6H3LL , STS9NH3LL , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL .

History: PSMN1R0-30YLC | SIHFIBE30G | BUK7E11-55B | AP9938GEO-HF | 2SK3921-01SJ | APM4904K | MDS1524URH

 

 
Back to Top

 


 
.