STS5P3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS5P3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS5P3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS5P3LLH6 даташит

 ..1. Size:532K  st
 sts5p3llh6.pdf pdf_icon

STS5P3LLH6

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in an SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID 5 STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A 8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness 4 Low gate drive power loss 1 SO-8 Applications Switching applicat

 9.1. Size:181K  st
 sts5pf20v.pdf pdf_icon

STS5P3LLH6

STS5PF20V P-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-8 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID

 9.2. Size:302K  st
 sts5pf30l.pdf pdf_icon

STS5P3LLH6

STS5PF30L P-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS5PF30L 30V

Другие IGBT... STS17NH3LL, STS1HNK60, STS25NH3LL, STS2DPFS20V, STS3P6F6, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, 4435, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL