STS5P3LLH6 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STS5P3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STS5P3LLH6
   Маркировка: 5K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 79 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STS5P3LLH6

STS5P3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:532K st
sts5p3llh6.pdf

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID5STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness4 Low gate drive power loss1SO-8Applications Switching applicat

9.1. Size:181K st
sts5pf20v.pdf