STS5PF20V Todos los transistores

 

STS5PF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS5PF20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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STS5PF20V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  st
 sts5pf20v.pdf pdf_icon

STS5PF20V

STS5PF20VP-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-82.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID

 8.1. Size:302K  st
 sts5pf30l.pdf pdf_icon

STS5PF20V

STS5PF30LP-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5PF30L 30V

 9.1. Size:532K  st
 sts5p3llh6.pdf pdf_icon

STS5PF20V

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID5STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness4 Low gate drive power loss1SO-8Applications Switching applicat

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