STS5PF20V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS5PF20V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS5PF20V datasheet

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STS5PF20V

STS5PF20V P-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-8 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID

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STS5PF20V

STS5PF30L P-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS5PF30L 30V

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STS5PF20V

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in an SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID 5 STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A 8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness 4 Low gate drive power loss 1 SO-8 Applications Switching applicat

Otros transistores... STS1HNK60, STS25NH3LL, STS2DPFS20V, STS3P6F6, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, SPP20N60C3, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL