STS6P3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS6P3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS6P3LLH6 datasheet

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STS6P3LLH6

STS6P3LLH6 P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID STS6P3LLH6 30 V 0.03 6 A RDS(on)* Qg industry benchmark 4 Extremely low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness SO-8 Applications Switching applications Description Figure 1. Inte

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STS6P3LLH6

STS6PF30L P-CHANNEL 30V - 0.027 - 6A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS6PF30L 30 V

Otros transistores... STS25NH3LL, STS2DPFS20V, STS3P6F6, STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, SKD502T, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL