STS6P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS6P3LLH6
   Código: 6K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS6P3LLH6

STS6P3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:706K st
sts6p3llh6.pdf

STS6P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTS6P3LLH6 30 V 0.03 6 A RDS(on)* Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inte

9.1. Size:216K st
sts6pf30l.pdf