STS6P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS6P3LLH6
   Código: 6K3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 12 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 178 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS6P3LLH6

STS6P3LLH6 Datasheet (PDF)

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sts6p3llh6.pdf

STS6P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTS6P3LLH6 30 V 0.03 6 A RDS(on)* Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inte

9.1. Size:216K st
sts6pf30l.pdf