STS6P3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS6P3LLH6
Маркировка: 6K3L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 178 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STS6P3LLH6
STS6P3LLH6 Datasheet (PDF)
sts6p3llh6.pdf
STS6P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTS6P3LLH6 30 V 0.03 6 A RDS(on)* Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inte
sts6pf30l.pdf
STS6PF30LP-CHANNEL 30V - 0.027 - 6A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS6PF30L 30 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
