STS6PF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS6PF30L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 140 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS6PF30L
STS6PF30L Datasheet (PDF)
sts6pf30l.pdf
STS6PF30LP-CHANNEL 30V - 0.027 - 6A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS6PF30L 30 V
sts6p3llh6.pdf
STS6P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTS6P3LLH6 30 V 0.03 6 A RDS(on)* Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inte
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