STS6PF30L Todos los transistores

 

STS6PF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS6PF30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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STS6PF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  st
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STS6PF30L

STS6PF30LP-CHANNEL 30V - 0.027 - 6A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS6PF30L 30 V

 9.1. Size:706K  st
 sts6p3llh6.pdf pdf_icon

STS6PF30L

STS6P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTS6P3LLH6 30 V 0.03 6 A RDS(on)* Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inte

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History: UT100N03G-K08-5060-R

 

 
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