STS8C6H3LL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS8C6H3LL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SO-8

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STS8C6H3LL datasheet

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STS8C6H3LL

STS8C6H3LL N-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 A STripFET Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code Channel VDS RDS(on) max ID N 0.021 8 A STS8C6H3LL 30 V P 0.030 5 A 4 STripFET V N-channel Power MOSFET 1 STripFET VI DeepGATE P-channel Power MOSFET SO-8 RDS(on)* Qg industry benc

 9.1. Size:463K  st
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STS8C6H3LL

STS8C5H30L N-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8 low gate charge STripFET III MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS8C5H30L(N-channel) 30 V

Otros transistores... STS4DNFS30, STS4DPFS30L, STS5DP3LLH6, STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, AON7410, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L