Справочник MOSFET. STS8C6H3LL

 

STS8C6H3LL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS8C6H3LL
   Маркировка: 86DK3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STS8C6H3LL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8C6H3LL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1258K  st
 sts8c6h3ll.pdf pdf_icon

STS8C6H3LL

STS8C6H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 typ., 6 ASTripFET Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 8 ASTS8C6H3LL 30 VP 0.030 5 A4 STripFETV N-channel Power MOSFET1 STripFETVI DeepGATE P-channel Power MOSFETSO-8 RDS(on)* Qg industry benc

 9.1. Size:463K  st
 sts8c5h30l.pdf pdf_icon

STS8C6H3LL

STS8C5H30LN-channel 30 V, 0.018 , 8 A, P-channel 30 V, 0.045 , 5 A SO-8low gate charge STripFET III MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8C5H30L(N-channel) 30 V

Другие MOSFET... STS4DNFS30 , STS4DPFS30L , STS5DP3LLH6 , STS5P3LLH6 , STS5PF20V , STS6P3LLH6 , STS6PF30L , STS7P4LLF6 , RFP50N06 , STS9NH3LL , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , STT2PF60L .

History: 2SK1305 | BSZ097N10NS5 | AP2761I-A | 2SK371 | UPA2750GR | 10N60G-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.