STSJ100NH3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STSJ100NH3LL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STSJ100NH3LL
STSJ100NH3LL Datasheet (PDF)
stsj100nh3ll.pdf
STSJ100NH3LLN-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSIONTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V
stsj100nhs3ll.pdf
STSJ100NHS3LLN-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8STripFETIII Power MOSFET plus monolithic schottkyGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1)1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction lossesPowerSO-8 Improved junction-case thermal resist
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History: HGN036N08SL
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