STSJ100NH3LL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STSJ100NH3LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 655 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для STSJ100NH3LL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STSJ100NH3LL даташит

 ..1. Size:457K  st
 stsj100nh3ll.pdf pdf_icon

STSJ100NH3LL

STSJ100NH3LL N-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8 STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V

 5.1. Size:304K  st
 stsj100nhs3ll.pdf pdf_icon

STSJ100NH3LL

STSJ100NHS3LL N-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky General features Type VDSS RDS(on) ID STSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1) 1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction losses PowerSO-8 Improved junction-case thermal resist

Другие IGBT... STS5P3LLH6, STS5PF20V, STS6P3LLH6, STS6PF30L, STS7P4LLF6, STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, IRF1010E, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, STT2PF60L, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6