Справочник MOSFET. STSJ100NH3LL

 

STSJ100NH3LL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STSJ100NH3LL
   Маркировка: 100H3LL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 655 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для STSJ100NH3LL

 

 

STSJ100NH3LL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  st
 stsj100nh3ll.pdf

STSJ100NH3LL STSJ100NH3LL

STSJ100NH3LLN-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSIONTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V

 5.1. Size:304K  st
 stsj100nhs3ll.pdf

STSJ100NH3LL STSJ100NH3LL

STSJ100NHS3LLN-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8STripFETIII Power MOSFET plus monolithic schottkyGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1)1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction lossesPowerSO-8 Improved junction-case thermal resist

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top