STT2PF60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT2PF60L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de STT2PF60L MOSFET
STT2PF60L Datasheet (PDF)
stt2pf60l.pdf
STT2PF60LP-CHANNEL 60V - 0.20 - 2A - SOT-23-6LSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTT2PF60L 60V
Otros transistores... STS8C6H3LL , STS9NH3LL , STS9P2UH7 , STSJ100NH3LL , STSJ100NHS3LL , STSJ25NF3LL , STSJ50NH3LL , STSJ60NH3LL , NCEP15T14 , STT3P2UH7 , STT3PF30L , STT4P3LLH6 , STT4PF20V , STT5N2VH5 , STT5PF20V , STT6N3LLH6 , STT7P2UH7 .
History: 25N10G-TF2-T | BLP12N10G-U | 2N60G-TM3-T | 25N10G-TF3-T | IPB60R099P7 | BLP04N08-P
History: 25N10G-TF2-T | BLP12N10G-U | 2N60G-TM3-T | 25N10G-TF3-T | IPB60R099P7 | BLP04N08-P
Liste
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