STT2PF60L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STT2PF60L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для STT2PF60L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STT2PF60L даташит
stt2pf60l.pdf
STT2PF60L P-CHANNEL 60V - 0.20 - 2A - SOT-23-6L STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STT2PF60L 60V
Другие IGBT... STS8C6H3LL, STS9NH3LL, STS9P2UH7, STSJ100NH3LL, STSJ100NHS3LL, STSJ25NF3LL, STSJ50NH3LL, STSJ60NH3LL, NCEP15T14, STT3P2UH7, STT3PF30L, STT4P3LLH6, STT4PF20V, STT5N2VH5, STT5PF20V, STT6N3LLH6, STT7P2UH7
History: 3N155
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794

