STU11N65M5 Todos los transistores

 

STU11N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU11N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STU11N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  st
 stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdf pdf_icon

STU11N65M5

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTAB2VDSS @ RDS(on) 2 3Order codes ID 31TJmax max 132DPAKD2PAK 1STB11N65M5TO-220FPSTD11N65M5TABSTF11N65M5 710 V

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STU11N65M5

STD11N65M2, STP11N65M2, STU11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABTAB3Order codes VDS RDS(on) max ID1STD11N65M2DPAK3STP11N65M2 650 V 0.67 7 A21STU11N65M2TO-220TAB Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation

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STU11N65M5

STU11NB60N-CHANNEL 600V - 0.5 - 11A Max220PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU11NB60 600V

 8.2. Size:238K  st
 stu11nc60.pdf pdf_icon

STU11N65M5

STU11NC60N-CHANNEL 600V - 0.48 - 11A Max220PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU11NC60 600V

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History: ITF87056DQT | SSF11NS70UF | TPC6110 | SI4368DY | SIS902DN | VS3625DB | SWK15N04V

 

 
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