STU12N60M2 Todos los transistores

 

STU12N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU12N60M2
   Código: 12N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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STU12N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  st
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STU12N60M2

STU12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTTABSTU12N60M2 600 V 0.450 9 A 85 W Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switchi

 7.1. Size:1040K  st
 std12n65m5 stf12n65m5 sti12n65m5 stp12n65m5 stu12n65m5.pdf pdf_icon

STU12N60M2

STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5STP12N65M5, STU12N65M5N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh V Power MOSFETDPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PTOT3TJmax max231 21STD12N65M5 8.5 A 70 WIPAK TO-220STF12N65M5 8.5 A(1) 25 W3STI12N65M5 710 V

 9.1. Size:165K  samhop
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STU12N60M2

GreenProductSTU12L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VTO-252 Package.100V 12A245 @ VGS=4.5VGSSTU SERIES( )TO - 252AA D- PAKC(TA=25 unless otherwise noted)A

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History: SSF11NS60UF | 2SK1295 | AJCS160N08I

 

 
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