STU12N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU12N60M2
Código: 12N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 9.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU12N60M2
STU12N60M2 Datasheet (PDF)
stu12n60m2.pdf
STU12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTTABSTU12N60M2 600 V 0.450 9 A 85 W Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switchi
std12n65m5 stf12n65m5 sti12n65m5 stp12n65m5 stu12n65m5.pdf
STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5STP12N65M5, STU12N65M5N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh V Power MOSFETDPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PTOT3TJmax max231 21STD12N65M5 8.5 A 70 WIPAK TO-220STF12N65M5 8.5 A(1) 25 W3STI12N65M5 710 V
stu12l01.pdf
GreenProductSTU12L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VTO-252 Package.100V 12A245 @ VGS=4.5VGSSTU SERIES( )TO - 252AA D- PAKC(TA=25 unless otherwise noted)A
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