STU6N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU6N60M2
Código: 6N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU6N60M2
STU6N60M2 Datasheet (PDF)
stf6n60m2 stp6n60m2 stu6n60m2.pdf
STF6N60M2, STP6N60M2, STU6N60M2N-channel 600 V, 1.06 typ., 4.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 32 Order codes ID1TJmax maxIPAK3STF6N60M221STP6N60M2 650 V 1.2 4.5 ATO-220FP TABSTU6N60M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous
stu6n60dm2.pdf
STU6N60DM2DatasheetN-channel 600 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTTAB Order codeSTU6N60DM2 600 V 1.10 5 A 60 W32 Fast-recovery body diode1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistanceIPAK 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggednessD(2, TAB) Zen
stf6n65m2 stp6n65m2 stu6n65m2.pdf
STF6N65M2, STP6N65M2, STU6N65M2N-channel 650 V, 1.2 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF6N65M23 3STP6N65M2 650 V 1.35 4 A2211STU6N65M2TO-220FP TO-220TAB Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile32 1
stf6n65k3 stfi6n65k3 stu6n65k3.pdf
STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V
stf6n62k3 stfi6n62k3 sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf
STF6N62K3, STFI6N62K3, STI6N62K3,STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 typ., 5.5 A SuperMESH3 PowerMOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PTOT33STF6N62K3 30 W2 211STFI6N62K3 30 WTO-220FPIPAKSTI6N62K3 620 V
stfi6n65k3 stu6n65k3.pdf
STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAKDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max. ID PtotSTF6N65K3TAB30 WSTFI6N65K3 650 V
std6n62k3 stf6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3.pdf
STD6N62K3 - STF6N62K3STP6N62K3 - STU6N62K3N-channel 620 V, 1.1 , 5.5 A, IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FPSuperMESH3 Power MOSFETFeatures3RDS(on) 3Type VDSS ID Pw2 1max1DPAKSTD6N62K3 620 V
sti6n62k3 stp6n62k3 stu6n62k3 stf6n62k3 std6n62k3.pdf
STD6N62K3, STF6N62K3STI6N62K3, STP6N62K3, STU6N62K3N-channel 620 V, 0.95 , 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFETin IPAK, DPAK, TO-220,TO-220FP, IPAKFeaturesRDS(on) 3Order codes VDSS ID Pw2max.1321IPAKSTD6N62K3 90 WIPAKSTF6N62K3 30 W3STI6N62K3 620 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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