STU6N60M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU6N60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STU6N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU6N60M2 даташит

 ..1. Size:1046K  st
 stf6n60m2 stp6n60m2 stu6n60m2.pdf pdf_icon

STU6N60M2

STF6N60M2, STP6N60M2, STU6N60M2 N-channel 600 V, 1.06 typ., 4.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 3 2 Order codes ID 1 TJmax max IPAK 3 STF6N60M2 2 1 STP6N60M2 650 V 1.2 4.5 A TO-220FP TAB STU6N60M2 Extremely low gate charge 3 Lower RDS(on) x area vs previous

 7.1. Size:330K  st
 stu6n60dm2.pdf pdf_icon

STU6N60M2

STU6N60DM2 Datasheet N-channel 600 V, 0.95 typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT TAB Order code STU6N60DM2 600 V 1.10 5 A 60 W 3 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance IPAK 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness D(2, TAB) Zen

 8.1. Size:732K  st
 stf6n65m2 stp6n65m2 stu6n65m2.pdf pdf_icon

STU6N60M2

STF6N65M2, STP6N65M2, STU6N65M2 N-channel 650 V, 1.2 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID STF6N65M2 3 3 STP6N65M2 650 V 1.35 4 A 2 2 1 1 STU6N65M2 TO-220FP TO-220 TAB Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 2 1

 8.2. Size:901K  st
 stf6n65k3 stfi6n65k3 stu6n65k3.pdf pdf_icon

STU6N60M2

STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3 N-channel 650 V, 1.1 typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK Datasheet production data Features Order codes VDSS RDS(on) max. ID Ptot STF6N65K3 TAB 30 W STFI6N65K3 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STU2LN60K3, STU2N105K5, STU2N80K5, STU2N95K5, STU3N80K5, STU4N80K5, STU5N60M2, STU60N3LH5-S, IRF1405, STU6N65K3, STU6N65M2, STU6N95K5, STU7N105K5, STU7N60M2, STU7N65M2, STU7N80K5, STU7NF25