STU95N4F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU95N4F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: IPAK

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STU95N4F3 datasheet

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STU95N4F3

STD95N4F3 STP95N4F3 - STU95N4F3 N-channel 40V - 5.4m - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD95N4F3 40V

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STU95N4F3

STD95N2LH5 STP95N2LH5, STU95N2LH5 N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 3 STD95N2LH5 25 V

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 stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf pdf_icon

STU95N4F3

STB95N3LLH6, STD95N3LLH6 STP95N3LLH6, STU95N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 1 3 STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2 DPAK 1 STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A STP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAK STU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3

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