Справочник MOSFET. STU95N4F3

 

STU95N4F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU95N4F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STU95N4F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  st
 stu95n4f3.pdf pdf_icon

STU95N4F3

STD95N4F3STP95N4F3 - STU95N4F3N-channel 40V - 5.4m - 80A - DPAK - TO-220 - IPAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTD95N4F3 40V

 8.1. Size:613K  st
 std95n2lh5 stp95n2lh5 stu95n2lh5.pdf pdf_icon

STU95N4F3

STD95N2LH5STP95N2LH5, STU95N2LH5N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD95N2LH5 25 V

 8.2. Size:933K  st
 stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf pdf_icon

STU95N4F3

STB95N3LLH6, STD95N3LLH6STP95N3LLH6, STU95N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID313STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2DPAK1STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 ASTP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAKSTU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.