IRFR420APBF Todos los transistores

 

IRFR420APBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR420APBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IRFR420APBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  international rectifier
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IRFR420APBF

PD - 95075ASMPS MOSFETIRFR420APbFIRFU420APbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power SupplyVDSS RDS(on) max IDl High speed power switching500V 3.0 3.3Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitanc

 ..2. Size:265K  vishay
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IRFR420APBF

IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 17 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgs (nC) 4.3dV/dt RuggednessQgd (nC) 8.5 Fully Characterized Capac

 6.1. Size:114K  international rectifier
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IRFR420APBF

PD - 94355SMPS MOSFETIRFR420AIRFU420AApplicationsHEXFET Power MOSFET Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power SupplyVDSS RDS(on) max ID High speed power switching500V 3.0 3.3ABenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andD-Pak I-PakAvalan

 6.2. Size:500K  samsung
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IRFR420APBF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 2.000 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Char

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History: WMS048NV6HG4

 

 
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