IRFR420APBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR420APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IRFR420APBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR420APBF даташит

 ..1. Size:248K  international rectifier
irfr420apbf irfu420apbf.pdfpdf_icon

IRFR420APBF

PD - 95075A SMPS MOSFET IRFR420APbF IRFU420APbF Applications HEXFET Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply VDSS RDS(on) max ID l High speed power switching 500V 3.0 3.3A l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitanc

 ..2. Size:265K  vishay
irfr420apbf irfu420apbf sihfr420a sihfu420a.pdfpdf_icon

IRFR420APBF

IRFR420A, IRFU420A, SiHFR420A, SiHFU420A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 500 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 17 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgs (nC) 4.3 dV/dt Ruggedness Qgd (nC) 8.5 Fully Characterized Capac

 6.1. Size:114K  international rectifier
irfr420a.pdfpdf_icon

IRFR420APBF

PD - 94355 SMPS MOSFET IRFR420A IRFU420A Applications HEXFET Power MOSFET Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply VDSS RDS(on) max ID High speed power switching 500V 3.0 3.3A Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D-Pak I-Pak Avalan

 6.2. Size:500K  samsung
irfr420a.pdfpdf_icon

IRFR420APBF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 2.000 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Char

Другие IGBT... STU7N80K5, STU7NF25, STU80N4F6, STU8N80K5, STU95N4F3, STU9HN65M2, STU9N60M2, STU9N65M2, 60N06, IRFR420B, IRFR420PBF, IRFR430A, IRFR430APBF, IRFR4510PBF, IRFR4615PBF, IRFR4620PBF, IRFR48ZPBF