IRFS250B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS250B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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IRFS250B datasheet

 ..1. Size:655K  fairchild semi
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IRFS250B

November 2001 IRFS250B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21.3A, 200V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fas

 7.1. Size:256K  1
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IRFS250B

IRFS250A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.085 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 21.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.071 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symb

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IRFS250B

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IRFS250B

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