IRFS250B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS250B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF

Аналог (замена) для IRFS250B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS250B даташит

 ..1. Size:655K  fairchild semi
 irfs250b.pdf pdf_icon

IRFS250B

November 2001 IRFS250B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21.3A, 200V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fas

 7.1. Size:256K  1
 irfs250a.pdf pdf_icon

IRFS250B

IRFS250A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.085 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 21.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.071 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symb

 7.2. Size:285K  1
 irfs250 irfs251.pdf pdf_icon

IRFS250B

 8.1. Size:207K  1
 irfs254a.pdf pdf_icon

IRFS250B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR9220PBF, IRFR9310PBF, IRFR9N20DPBF, IRFS11N50APBF, IRFS17N20D, IRFS17N20DPBF, IRFS23N20DPBF, IRFS244, AON7408, IRFS254, IRFS3004-7PPBF, IRFS3004PBF, IRFS3006-7PPBF, IRFS3006PBF, IRFS3107-7PPBF, IRFS3107PBF, IRFS31N20DPBF