IRFS31N20DPBF Todos los transistores

 

IRFS31N20DPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS31N20DPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IRFS31N20DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dpbf irfsl31n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFS31N20DPBF

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur

 3.1. Size:290K  international rectifier
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IRFS31N20DPBF

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur

 4.1. Size:190K  international rectifier
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IRFS31N20DPBF

PD- 93805BIRFB31N20D IRFS31N20DSMPS MOSFETIRFSL31N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.082 31ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-220AB D2Pak TO-262 Fully Characterized Avalanche

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs31n20d.pdf pdf_icon

IRFS31N20DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS31N20DFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

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History: IPP80N06S2-09 | HAT3032R | APM8010K | AP9870GH | HUFA76413DK8TF085 | CS6N70A3H | HAT3019R

 

 
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