Справочник MOSFET. IRFS31N20DPBF

 

IRFS31N20DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS31N20DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRFS31N20DPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS31N20DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dpbf irfsl31n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFS31N20DPBF

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur

 3.1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dp irfsl31n20dp.pdf pdf_icon

IRFS31N20DPBF

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur

 4.1. Size:190K  international rectifier
 irfs31n20d.pdf pdf_icon

IRFS31N20DPBF

PD- 93805BIRFB31N20D IRFS31N20DSMPS MOSFETIRFSL31N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.082 31ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-220AB D2Pak TO-262 Fully Characterized Avalanche

 4.2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs31n20d.pdf pdf_icon

IRFS31N20DPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS31N20DFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS250B , IRFS254 , IRFS3004-7PPBF , IRFS3004PBF , IRFS3006-7PPBF , IRFS3006PBF , IRFS3107-7PPBF , IRFS3107PBF , SPP20N60C3 , IRFS3206PBF , IRFS3207PBF , IRFS3207ZPBF , IRFS3306PBF , IRFS3307PBF , IRFS3307ZPBF , IRFS33N15DPBF , IRFS3507PBF .

History: BUK445-200B | IRF152 | SMK1360FD | LNG06R110

 

 
Back to Top

 


 
.