IRFS3207ZPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS3207ZPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IRFS3207ZPBF datasheet

 ..1. Size:330K  international rectifier
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IRFS3207ZPBF

IRFB3207ZPbF IRFS3207ZPbF IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply max. 4.1m G l High Speed Power Switching ID (Silicon Limited) 170A l Hard Switched and High Frequency Circuits S ID (Package Limited) 120A Benefits D D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

 5.1. Size:704K  infineon
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IRFS3207ZPBF

 5.2. Size:240K  inchange semiconductor
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IRFS3207ZPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3207Z FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 6.1. Size:379K  international rectifier
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IRFS3207ZPBF

PD - 96893C IRFB3207 IRFS3207 IRFSL3207 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching 3.6m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits max. 4.5m l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 S ID 180A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedn

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