IRFS3207ZPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS3207ZPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRFS3207ZPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3207ZPBF даташит

 ..1. Size:330K  international rectifier
irfb3207zpbf irfs3207zpbf irfsl3207zpbf.pdfpdf_icon

IRFS3207ZPBF

IRFB3207ZPbF IRFS3207ZPbF IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply max. 4.1m G l High Speed Power Switching ID (Silicon Limited) 170A l Hard Switched and High Frequency Circuits S ID (Package Limited) 120A Benefits D D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

 5.1. Size:704K  infineon
auirfs3207z auirfsl3207z.pdfpdf_icon

IRFS3207ZPBF

 5.2. Size:240K  inchange semiconductor
irfs3207z.pdfpdf_icon

IRFS3207ZPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3207Z FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 6.1. Size:379K  international rectifier
irfb3207 irfs3207 irfsl3207.pdfpdf_icon

IRFS3207ZPBF

PD - 96893C IRFB3207 IRFS3207 IRFSL3207 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching 3.6m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits max. 4.5m l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 S ID 180A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedn

Другие IGBT... IRFS3004PBF, IRFS3006-7PPBF, IRFS3006PBF, IRFS3107-7PPBF, IRFS3107PBF, IRFS31N20DPBF, IRFS3206PBF, IRFS3207PBF, SPP20N60C3, IRFS3306PBF, IRFS3307PBF, IRFS3307ZPBF, IRFS33N15DPBF, IRFS3507PBF, IRFS3607PBF, IRFS3806PBF, IRFS38N20DPBF