STB120NF10T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB120NF10T4
   Código: B120NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 172 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 785 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB120NF10T4

STB120NF10T4 Datasheet (PDF)

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STP120NF10, STB120NF10STF120NF10, STW120NF10N-channel 100 V, 0.009 , 110 A STripFET II Power MOSFETin TO-247, TO-220, DPAK, TO-220FPFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTW120NF10 110 A31STP120NF10 110 A100V

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STB120NF10T4, STP120NF10, STW120NF10 N-channel 100 V, 9.0 m typ., 110 A STripFET II Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data TABFeatures Order code V R max. I DS DS(on) DSTB120NF10T4 STP120NF10 100 V 10.5 m 110 A D2PAKTAB STW120NF10 Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested 3 Low gate charge 3

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stp120nf10 stb120nf10 stf120nf10 stw120nf10.pdf

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STP120NF10 - STB120NF10STW120NF10N-channel 100V - 0.009 - 110A - TO-247 - TO-220 - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTW120NF10 100V

4.4. Size:858K cn vbsemi
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STB120NF10www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

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