STB120NF10T4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB120NF10T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB120NF10T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 785 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB120NF10T4 datasheet

..1. Size:940K st
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STP120NF10, STB120NF10 STF120NF10, STW120NF10 N-channel 100 V, 0.009 , 110 A STripFET II Power MOSFET in TO-247, TO-220, D PAK, TO-220FP Features Type VDSS RDS(on) max ID STW120NF10 110 A 3 1 STP120NF10 110 A 100V

..2. Size:1031K st
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STB120NF10T4, STP120NF10, STW120NF10 N-channel 100 V, 9.0 m typ., 110 A STripFET II Power MOSFETs in D PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data TAB Features Order code V R max. I DS DS(on) D STB120NF10T4 STP120NF10 100 V 10.5 m 110 A D2PAK TAB STW120NF10 Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested 3 Low gate charge 3

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stp120nf10 stb120nf10 stf120nf10 stw120nf10.pdf pdf_icon

4.2. Size:940K st
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