STB130NS04ZBT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB130NS04ZBT4
Código: B130NS04ZB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 33 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 18 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1275 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STB130NS04ZBT4 Datasheet (PDF)
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