STB130NS04ZBT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB130NS04ZBT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB130NS04ZBT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 33 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB130NS04ZBT4 datasheet

..1. Size:396K st
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STP130NS04ZB - STB130NS04ZB-1 STB130NS04ZB - STW130NS04ZB N-channel clamped - 7 m - 80A TO-220/I2/D2PAK/TO-247 Fully protected mesh overlay MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP130NS04ZB clamped

2.1. Size:515K st
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STB130NS04ZB-1 Automotive-grade N-channel clamped, 7 m typ., 80 A fully protected Mesh overlay Power MOSFET in a I2PAK package Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Type VDS ID max. STB130NS04ZB-1 Clamped 9 m 80 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified 3 2 1 100% avalanche tested Low capacitance and gate charge I2PAK 1

2.2. Size:397K st
stp130ns04zb stb130ns04zb stw130ns04zb stb130ns04zb-1.pdf pdf_icon

7.1. Size:410K st
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STB130NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0034 - 120A D PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION TYPE VDSS RDS(on) ID STB130NH02L 24 V

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