STB14NK60Z-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB14NK60Z-1
Código: B14NK60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB14NK60Z-1
STB14NK60Z-1 Datasheet (PDF)
stp14nk60z stp14nk60zfp stb14nk60z stb14nk60z-1 stw14nk60z.pdf
STP14NK60Z - STP14NK60ZFPSTB14NK60Z/-1 - STW14NK60ZN-channel 600V - 0.45 - 13.5A TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK60Z 600V
stb14nk60z-1.pdf
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STB14NK60ZT4, STP14NK60ZFPN-channel 600 V, 0.45 typ.,13.5 A SuperMESH Power MOSFETs in D2PAK and TO-220FP packagesDatasheet - production dataFeatures RDS(on) Order codes VDS max. ID PTOTTABSTB14NK60ZT4 160 W 600 V 0.5 13.5 A 31 STP14NK60ZFP 40 W321D2PAK Extremely high dv/dt capabilityTO-220FP 100% avalanche tested Gate charge minimized
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STP14NK50Z - STP14NK50ZFPSTB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50ZN-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK50Z 500V
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STP14NK50Z - STP14NK50ZFPSTB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50ZN-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK50Z 500V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
