STB14NK60Z-1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB14NK60Z-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB14NK60Z-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB14NK60Z-1 datasheet

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STP14NK60Z - STP14NK60ZFP STB14NK60Z/-1 - STW14NK60Z N-channel 600V - 0.45 - 13.5A TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP14NK60Z 600V

..2. Size:620K st
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STB14NK60ZT4, STP14NK60ZFP N-channel 600 V, 0.45 typ.,13.5 A SuperMESH Power MOSFETs in D2PAK and TO-220FP packages Datasheet - production data Features RDS(on) Order codes VDS max. ID PTOT TAB STB14NK60ZT4 160 W 600 V 0.5 13.5 A 3 1 STP14NK60ZFP 40 W 3 2 1 D2PAK Extremely high dv/dt capability TO-220FP 100% avalanche tested Gate charge minimized

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