STB14NM65N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB14NM65N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB14NM65N datasheet

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STB14NM65N

STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) max 3 2 3 1 2 STI14NM65N 710 V

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STB14NM65N

STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) max 3 2 3 1 2 STI14NM65N 710 V

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STB14NM65N

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

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STB14NM65N

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

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