STB14NM65N Todos los transistores

 

STB14NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB14NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB14NM65N Datasheet (PDF)

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STB14NM65N

STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V

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STB14NM65N

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STB14NM65N

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V

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STB14NM65N

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V

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History: IRF7749L1TRPBF | IRF9530P | SI2301ADS-T1

 

 
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