STB14NM65N - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STB14NM65N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STB14NM65N
   Маркировка: 14NM65N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB14NM65N

STB14NM65N Datasheet (PDF)

..1. Size:548K st
sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf

STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V

..2. Size:546K st
stb14nm65n stb14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stw14nm65n.pdf

7.1. Size:1281K st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V

7.2. Size:1066K st
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V

8.1. Size:618K st
stb14nk50z-1 stb14nk50zt4 stp14nk50zfp.pdf

STP14NK50Z - STP14NK50ZFPSTB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50ZN-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK50Z 500V

8.2. Size:621K st
stp14nk60z stp14nk60zfp stb14nk60z stb14nk60z-1 stw14nk60z.pdf

STP14NK60Z - STP14NK60ZFPSTB14NK60Z/-1 - STW14NK60ZN-channel 600V - 0.45 - 13.5A TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK60Z 600V

8.3. Size:464K st
stb14nf10.pdf

STB14NF10STP14NF10 STP14NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.115 - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB14NF10 100 V

8.4. Size:616K st
stb14nk60zt4 stp14nk60zfp stw14nk60z.pdf

8.5. Size:975K st
stb14nk60zt4 stp14nk60zfp.pdf

STB14NK60ZT4, STP14NK60ZFPN-channel 600 V, 0.45 typ.,13.5 A SuperMESH Power MOSFETs in D2PAK and TO-220FP packagesDatasheet - production dataFeatures RDS(on) Order codes VDS max. ID PTOTTABSTB14NK60ZT4 160 W 600 V 0.5 13.5 A 31 STP14NK60ZFP 40 W321D2PAK Extremely high dv/dt capabilityTO-220FP 100% avalanche tested Gate charge minimized

8.6. Size:624K st
stp14nk50z stp14nk50zfp stb14nk50z stb14nk50z-1 stw14nk50z.pdf