IXFK48N50Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFK48N50Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK48N50Q
IXFK48N50Q Datasheet (PDF)
ixfk48n50q ixfx48n50q ixfk44n50q ixfx44n50q.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mPower MOSFETsIXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C
ixfk48n60p ixfx48n60p.pdf
IXFK 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 48N60P ID2 = 48 APower MOSFET RDS(on) 135m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuou
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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