Справочник MOSFET. IXFK48N50Q

 

IXFK48N50Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFK48N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 190 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 960 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXFK48N50Q

 

 

IXFK48N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  ixys
ixfk48n50q ixfx48n50q ixfk44n50q ixfx44n50q.pdf

IXFK48N50Q IXFK48N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 mPower MOSFETsIXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 mQ-CLASS trr 250 ns Single MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low QgPLUS 247TM (IXFX)High dV/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150

 5.1. Size:162K  ixys
ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf

IXFK48N50Q IXFK48N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 5.2. Size:108K  ixys
ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf

IXFK48N50Q IXFK48N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.1. Size:223K  ixys
ixfk48n60p ixfx48n60p.pdf

IXFK48N50Q IXFK48N50Q

IXFK 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 48N60P ID2 = 48 APower MOSFET RDS(on) 135m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuou

Другие MOSFET... IXFK32N60 , IXFK33N50 , IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IRF9540 , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , IXFK55N50 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 , IXFK73N30 , IXFK80N20 , IXFK80N20Q .

 

 
Back to Top